氧化铝陶瓷的Mo_Mn_Ti_Si_Al系统膏剂金属化工艺研究[1]

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·工艺与应用·

氧化铝陶瓷的MonTiSiAl系统膏剂-M---

金属化工艺研究

2,荀燕红1,张巨先1,陈丽梅1,高陇桥1

(北京真空电子技术研究所,北京11.00015;

)大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室,北京12.00015

ProcessinofMetallizinAluminaCeramic  gg  

withMonTiSiAlSstemPaint -M---  y

11,211

,,XUN YanhonZHANGJuxianCHENLieiGAOLoniao- - -m  -g,gq

(1.BeiinVacuum ElectronicsResearchInstitute,Beiin00015,China;  jg jg1

2.Vacuum Electronics NationalLab,Beiin00015,China) jg1

:AbstractTwokindofaluminaceramicsweremetallizedbMoniSilsstemresultsofaint.The       -M-T--A    yyp 

,sealinstrenthindicatedthatMoniSilsstemwasfitfor95%Aleramicbutitwasnotfitforaint   -M-T--A           ggyp2O3c hihaluminaceramics.Andstrenthofmetal-95%Aleramicsealsreachedabove150MPa.Banalure          -ggyyp2O3c 

,zinthemicrostructureofmetalluminaceramicssealsectionthemetallizinmechanismofhihurealuminace   -a         -gggp  ramicswasdifferentfromthatof95%Aleramic.Theformerwasthatlasshaseinmetallizinlaerwas             gypgy2O3c  rainslasshasereactionwithAlonthesurfaceofceramic.Thelatterwasthatinmetallizinlaermirated              gypgyg2O3g  

,lasshasetoceramicsandinceramicsmiratedtometallizinlaer.       gypggy  

:,M,HaintureKewordsMoniSilsstemetallizinmechanism,95%Aleramicih-M-T--A   ppygg2O3cy  aluminaceramics 

摘要:用MoniSil系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,MoniSil系统膏剂不-M-T--A-M-T--A适宜高纯A而比较适宜9其焊接强l5%Al5%Al2O3陶瓷的金属化封接,2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化92O3陶瓷,度最高值可达1高纯A50MPa以上。通过显微结构分析发现,l5%Al2O3陶瓷的金属化机理与92O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的A后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。l2O3晶粒反应,

关键词:金属化机理;高纯AMoniSil系统膏剂;95%All-M-T--A2O3陶瓷;2O3陶瓷()中图分类号:TB756  文献标识码:A  文章编号:1002-8935201101-0026-04

  氧化铝陶瓷因其在高频下具有良好的电器性

能,其介质损耗小,比体积电阻大,强度高,热膨胀系数小,且制造成本低廉,现已成为电真空器件中的主要绝缘材料。但由于氧化铝陶瓷无法与金属焊接,需在陶瓷表面烧结一层金属薄膜,既进行金属化。目前氧化铝陶瓷金属化广泛采用Mon法工艺,-M但对于不同的工艺,获得的金属化层存在较大差异,而不同的金属化层显微结构直接影响到氧化铝陶瓷-金属材料间的结合强度和气密性。为了提高

常常在MMon法配方的封接性能和适应性,o-M-

大体从以下三个方面进行改Mn法配方的基础上,

1]

:进[改变M添加T以增强金属化层n含量;i元素,添加玻璃相,以改善玻璃相含量较少与陶瓷的反应;

陶瓷的金属化性能。本文主要研究Mon金属化-M配方中添加T该系统膏剂对氧化铝陶瓷金i元素后,属性能的影响,并通过显微结构分析,来揭示两种氧化铝陶瓷材料的金属化机理。

1 实验

1.1 金属化膏的制备

金属化膏的配制是将Mo粉、Mn粉与TiO2、

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