材料物理2010第3章10-6-巨磁阻效应和磁电子学PPT

10.6 巨磁电阻效应和磁电子学 磁电阻:材料的电阻R随外磁场H发生变化的现象 R( H ) R(0) R R(0) R(0)

磁电阻发展历史: 正常磁电阻(OMR)普遍存在与所有的金属和半导体中, qv B f 源于磁场对电子的洛仑兹力; △R/R(0)>0,且各向异性ρ⊥>ρ// >0 ,低磁场下△R/R(0)很小,无饱和。

1857年,凯尔文首先发现了铁的磁电阻,称为各向异性磁电阻 AMR,源于磁畴中电阻率的各向异性; 沿磁场方向磁电阻比△R/R(0)>0,而垂直于磁场方向<0, 可在低磁场下饱和,饱和值1%~5%。

20世纪70年代,OMR和AMR均用于传感器 90年代,AMR开始用于硬磁盘读出头

材料物理 上海大学

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