一种高电源抑制比曲率补偿带隙基准电压源

第88卷,卷第期第第66期Vol. 8,No. 6

电子与封装

ELECTRONICS & PACKAGING

总 第62期2008年6月

一种高电源抑制比曲率补偿带隙基准电压源

吴 谨1,常昌远1, 石 超2

(1.东南大学IC学院,南京 210096;2.南京申瑞电力股份有限公司,南京 211100)

摘 要:在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度、高电源抑制带隙电压基准源。采用二阶曲率补偿技术,电路采用预电压调整电路,为基准电路提供稳定的电源,提高了电源抑制比,在提高精度的同时兼顾了电源抑制比,整个电路采用了CSMC 0.5μm标准CMOS工艺实现,采用spectre进行进行仿真,仿真结果显示当温度为-40℃~80℃,输出基准电压变化小于1mV,温度系数为3.29×10-6℃,低频时(1kHz)的电源抑制比达到75dB,基准电路在高于3.3V电源电压下可以稳定工作,具有较好的性能。

关键词:带隙电压基准;电压调整电路;曲率补偿

中图分类号:TN702    文献标识码:A   文章编号:1681-1070(2008)06-0035-04

A High PSRR Curvature Compensation Bandgap Reference

WU Jin1, CHANG Chang-yuan1, SHI Chao2

(1.IC College of Southeast University, Nanjing 210096, China; 2. Nanjing Sunrise Power System

Control Limit Co., Nanjing 211100, China)

Abstract:In the tradition of the typical CMOS band gap voltage reference circuit analysis based on a highprecision and high power supply rejection band gap voltage reference. Second order curvature compensationtechnology, use of pre-circuit voltage adjustment circuit, as the base circuit to provide a stable power supply,improve the power supply rejection ratio, while enhancing the accuracy of balance of the power supply rejectionratio, the entire circuit using a standard CMOS process to achieve CSMC 0.5μm , A spectre for simulation, thesimulation showed that when the temperature of -40℃~ 80℃, the benchmark output voltage is less than 1 mV,temperature coefficient of 3.29×10-6℃, when the low-frequency(1 kHz)of the power supply rejectionratio of 75 dB, the benchmark circuit Above the 3.3 V power supply can be stabilized, with good performanceKey words: bandgap reference; temperature compensation; PSRR

的要求越来越高。因此为了更好地适应数模混合集成电

1 引言

在模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)、Flash 存储器等集成电路设计中,低温度系数、低功耗、高电源抑制比(PSRR)的基准源(Reference)设计十分关键。随着便携式电子产品的广泛应用,电路设计中低压低功耗

路的发展,基准电压源的设计性能要求进一步提高,设计低功耗、高电源抑制比的电压基准源已经成为模拟设计工程师的挑战。基准源的补偿方法很多,有指数补偿法、电流补偿法、文献[2~4]提出了几种带隙基准源的补偿方法,本文参考文献[2~4]的曲率补偿方法,设计了一种具有较高电源抑制比的高精度CMOS带隙基准电压源。

收稿日期:2008-05-06

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