第四章 离子注入
教师： 潘国峰 E-mail:pgf@http://www.wendangwang.com
河北工业大学微电子研究所
集成电路制造技术第四章 离子注入 西安电子科技大学 微电子学院戴显英 2013年9月...4.偏束板 ? ? 4.2 ⑤扫描器 ? ? 离子注入设备原理 作用:使离子在整个靶...
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②成本高。 第四章 离子注入 ? ? ? ? ? ? 靶:被掺杂的材料 晶体靶:Si片; 无定形靶:SiO2、Si3N4、光刻胶等。 无定形靶:可精确控制注入深度。 离子...
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(如高压、有毒气体) 会引入沾污 第四章 离子注入 集成电路工艺原理 4 第四章 离子注入 (Ion Implantation) § 4.1 前言 § 4.2 离子注入系统 离子注入系统的...
第四章 离子注入离子注入技术是用一定能量的杂质离子束轰 击要掺杂的材料(称为...3 (4)离子注入深度是随离子能量的增加而增加,因此掺杂深度可 通过控制离子束...
第四章:离子注入_电子/电路_工程科技_专业资料。第四章:离子注入掺杂技术之二...3. 杂质浓度均匀性、重复性好 4. 掺杂温度低 注入可在125℃以下的温度进行,...
集成电路工艺第四章:离子注入 “集成电路工艺”是一门非常重要的专业基础课,通过...4. 掺杂温度低 注入可在125℃以下的温度进行, 注入可在125℃以下的温度进行,...
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第4章 离子注入 隐藏>> 集成电路制造工艺东华理工大学 彭新村 xcpeng@ecit.cn 13687095856 1 第四章 离子注入 ?核碰撞和电子碰撞 ?注入离子在无定形靶中的分布...
第二篇 单项工艺1 第四章 离子注入 华山风光 主要内容离子注入概述 4.1 理想...11 离子注入技术优点(4)离子注入深度是随离子能量的增加而增加。 可精确控制...
