浙江理工大学2011—2012学年第 二 学期 《 模拟电子技术 》期末试卷（A）卷

本人郑重承诺：本人已阅读并且透彻地理解《浙江理工大学考场规则》，愿意在考试中自觉遵守这些规定，保证按规定的程序和要求参加考试，如有违反，自愿按《浙江理工大学学生违纪处分规定》有关条款接受处理。

承诺人签名： 学号： 班级：

一、判断题，对打“√”，错打“×”。（每题2分，共10分）

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）整流电路的作用是将直流电转换成交流电。（ ）

（3）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输出电阻会明显变小。（ ）

（4）发射机通过一条长的同轴电缆输送到天线。发射机输出功率为1kW，但只有500W到达天线，则电缆衰减为-3dB。（ ）

（5）电压放大器和小信号放大器也有功率增益。（ ） 二、单项选择题（每题2分，共20分）

（1）本征半导体载流子浓度ni与那个因素无关。（ ）

A. 半导体材料 B. 掺杂浓度 C. 禁带宽度 D.温度 （2）下面关于肖特基二极管的特点描述正确的是（ ）

A. 正向偏置存储电荷多 B. 导通电压低 C. 功率小 D.速度慢

（3）发光二极管的发光原理是（ ）

A. 受到光照射吸收能量 B. 温度升高吸收能量 C. 载流子复合释放能量 D. 反向偏置产生漏电流

（4）三端耗尽型PMOS管的符号是（ ）

A. B. C. D.

图1

（5）若测出一个PNP型三极管的三个极电位满足uC uB uE，该三极管工作在（ ）区。

A. 截止区 B. 放大区 C. 饱和区 D.EC对调区 （6）-3dB的电压增益转换成放大倍数是（ ）