InP单晶材料现状与展望

维普资讯 www.wendangwang.com

趋势与展望

电子工业专用设备 E up￣n o q in tfr勘e嘶 c jl P圳 t sM明瞳1 c啦瞻

■

IP单晶材料现状与展望 n 孙聂枫，周晓龙，陈秉克，同年孙 (河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室，河北石家庄 0 O 5 ) 5 0 1

摘要：绍了制备 IP单晶材料的主要方法，介 n包括传统液封直拉技术 (E、 L C)改进的 L C技术、 E气压控制直拉技术 ( Z/ C— E )垂直梯度凝固技术 ( F/直布里奇曼技术 ( B)。对这些方 VC P L C/ VG )垂 V等法进行了分析和对比，出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径 IP单晶生长技术的发展指 n 和关键因素。

关键词：封直拉法；气压控制直拉法；垂直梯度凝固；单晶材料液 中图分类号：N 0 . 3 T 3 40 5文献标识码： A文章编号：0 4 4 0 (0 5 1— 0 0 0 10— 5 72 0 )0 0 1— 5

De eo m e t n t t so P S n l y t l v lp n d S a u f n i g eCr sa a I S e f n, HOU Xio ln, HE i g k, UN o g n a UN Ni - e g Z a -o g C N Bn - e S T n— in

( ao a K y a .f SC Hee Smi n utr eerh ntu,hj zu n 5 0 N t nl e b o I, bi e c d c sac stt S iah ag 0 5 ) i L A o oR I i e i 0 1

Ab t a t T e me h d o P s ge c y t l r w h i cu i g L C T L s r c: h t o f n i l r sa o t, n l d n E, B— EC, I n g VCZ P L, n / C— EC a d VGF VB/ t c n q ea e i t d c d T e e tc n l ge r o a e, a d t e r d a t g s n el t s d v lp e h iu r n r u e . h s e h o o i s e c mp r d o a n i a v na e dt e t e eo— h a h a me t r n i ae, e p cie y T e d v l p n n e c n lg f a g i me e P c s l r wt n eidc

td r s e t l. a v h e eo me t d k y t h o o y o r e d a t r n r t o h a e l I y a g a edic s e r s u s d.

Ke wo d: iu d—n a u a e o h as i r c s; Va o— r s u e— o t l d C o h a s i Ve— y r s L g i— c p S lt d Cz c r lk o e s e P p r— e s r— n r l z c r lk; p c o e r— t a a in r e e I P S n l r s l i l c Gr d e t e z; n i g eC t F y a

IP是最早被制备出的 I— n I V族化合物。随着高速率的光通信系统。因为这些系统中必需的 I— I I I

当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电 V族三元、四元合金 IG A光探测器、n a P激 nas IG As池的快速发展， P的一系列优越特性得以发挥， I n也光器等在这个波长范围， IP与这些合金晶格匹而 n 引起人们越来越多的关注。 现代石英光纤在光通信中最小的损耗是在配。因此 IP就是生产光通讯中 IP基激光二极管 n n ( D),光二极管 ( E和光探测器等的关键材 L发 L D)

1 0 15 m。因此这是光纤通信的两个主要窗料，些器件实现了光纤通信中信息的发射、播、 .￣ .5 P 3这传

口，者用于短距离局域通信网，者用于长距离放大、收等功能。实上，前后接事目前全球高速互联网就

收稿日期： 0 5 0 - 9 20 - 9 2

作者简介：孙聂枫，高级工程师，男，长期从事化合物半导体单晶材料制备和性质研究。获 20年国防科学技术一等奖、 0 2 01 20年国家科技进步二等奖，续三届获得全国化合物半导体材料，连微波，电器件会议优秀论文奖，国内外学术刊光在物和会议上发表论文 5篇。 0余