孔结构对氮化硅陶瓷介电性能的影响
透波材料
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烧结工艺,通过添加硬脂酸,制备孔径为 0.8 mm,孔隙率在 55%左右的具有宏观球形孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了 α/β 相变 对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响。...
硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响_专业资料。以硅粉为原料,添加质量分数为30%的成孔剂(苯甲酸)球形颗粒,反应烧结制备了气孔率为55%,具有球形宏观...
_相变对多孔氮化硅陶瓷介电... 6页 免费 孔结构对氮化硅陶瓷介电性... 3...35,No. 7 July, 2007 硅粉粒径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响徐 ...
36,No. 8 August,2008 烧结助剂对多孔氮化硅陶瓷的力学性能及介电性能的影响于方丽 1,杨建锋 1,薛耀辉 2,高积强 1,金志浩 1 (1. 西安交通大学,金属材料...
胡汉军 等 : 氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响 109 3 氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响胡汉军 ,周万城 ,李坊森 ,罗 ,朱冬...
研究了烧结温 度和添加剂含量对多孔氮化硅陶瓷抗弯强度和介电性能的影响。多孔...然而,不同的烧结温度和不同的内容的添加剂将导致不 同的微观结构。 3.3 ...
工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响...的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好...
氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究_专业资料。通过添加成孔剂,采用反应烧结...用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在...
高强度低介电氮化硅陶瓷的制备及性能研究_材料科学_工程科技_专业资料 暂无评价
