究人员也在探讨激光法或等离子法等其他工

实现 2 5 6 M B超大规模集成电路的 关键工艺一 R V D法 日本日立制作所的中央研究所与日本法政大学工学部最近联台开发成功~项制作厚度为5 0 an r以下的杂质引入层 ( P N结台 )的新工艺，这是实现 2 5 6 MB以上的超细微大

艺。该研究小组发现若在氮气中进行传统的 热扩散法，就能得到优质的杂质层，他们以 此为突破口进行了上述的尝试。今后，他们

还考虑进~步用镓来形成 N型层，并打算实际动手制作 MOS晶体管。 张其蛭犏译岛 1 3本《 1 3刊工业新闻' 1 9 9 1年 8月 2 7日第 7版

规模集成电路必不可缺的关键技术。目前已 确认用该工艺研制成功的元件具有良好的电

气特性，无电流桶泄现象。而用传统的离子 注入法则难以生产出如此高浓度的浅层结合，故可以说该工艺的间世对实现下一代新

元件具有重要的意义。 这项新技术称为RV D (氧游离气相扩散 )法，其工艺具体如下 t将放在真空容器 内的底板加热到1 5 0 0℃,吹入氢气，消除底板表面形成的自然氧化膜。然后将底板温度 下降到 8 0 0￣9 0 0℃,在容器内注入乙硼烷气

衣袋大小的百科全书 据称，最近研制成功的两种小型电子百

科垒书，可使查阅百科全书的工作变得极其简单。只要输入一个字、~组字，甚至是一 个提示，便可查遍大量信息。 美国弗兰克林电子出版公司根据 1 9 8 9年

体。在此过程中，通过改变原料气体的流量、

出版的第二版‘简明哥伦比亚百科全书’,制 造了一种售价为 4 0 0美元的机器。弗兰克林公

底板温度以及反应时间，就可以控制杂质层 的深度及浓度。研究人员在实验时，是将底板温度控制在8 0 0℃,乙硼烷气体的流量控翩

司总经理、首席科学家 P 伊尼鲁斯说， 本机器对原书毫无删节，条目原样未动地输入 设备中。 该机器重 3 4 0 g,在3 MB y的半导体只读存储器中，存有1 5 0 0 0个条目。如打入“卫星一诃，便可在几秒内读出有关该题目 的文章数目。 前进和。后退的按钮可将一

在每分钟

1 O al r,连续注￣&3 0 r a i n,由此，在 N型硅底板的表面￣4 0 n m以内的浅层范围内 得到 P型层，它每立方厘米具有 l 0 以上的 硼浓度。

这次试制成功的是用该方法形成电子移

篇选中的文章卷上和卷下。撤更多的按钮可检索有关该题目的其他文章。一种过滤器的功能，可缩小检索范围，如要查找法国印象攮画家耐，可缩小刭查找1 8 5 0￣1 9 0 0年问的人物。在每个条目内，设有参照条目。该机器还设有拼写检查功能，以避免因错打键盘面造成的空检索。内装近义词汇，可索取 相关条目，如输入画家~词，机器能检索出文学家。该机器还安装有提问按钮，可傲问答式电子游戏。 另外，西莱克特伦尼格公司则将1 9 9 0年出版改编本‘兰达姆豪斯百科垒书，压缩到重

动基础层的NP N墅双板晶体管。在实验中， 成功地实现了让电流充分通过夹持基础层的两个电极之间的基本动作。试制元件的基础层厚度为2 5 i r m,越是批量型生产元件的四分

之~以下。由于新元件缩短了电子移动的距离，敞实现了l 0倍以上的高速动作。 在硅J意扳上形成杂质层是制作MO S(金属氧化物半导体)晶体管电极的关键技术。随着元件的细微化，电极部分也必须馓得越来 越小，但现行的离子注入法，存在容易损伤

底板或难以形成浅层结台等问题，故有的研 一

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