2009半导体物理试卷-A卷答案

电子科大半导体物理历年真题

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试

(分钟) 考试形式: 考试日期 年 日

课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分

2009半导体物理试卷-A卷答案

2009半导体物理试卷-A卷答案

一、选择题(共25分,共 25题,每题1 分)

A )的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电阻率最高

C. 电子密度和空穴密度相等 D. 电子密度与本征载流子密度相等

2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定( D )。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度

3、对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而( D )。 A. 单调上升 B. 单调下降

C. 经过一个极小值趋近Ei D. 经过一个极大值趋近Ei

4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 5、公式 q /m*中的 是半导体载流子的( C )。 A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间

6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A )

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