光电材料与器件 考试范围
第一章 光电材料与器件基础
非平衡载流子：注入方法、准费米能级；
PN结：PN结空间电荷区的形成过程；加偏压的PN结的能带图画法；PN结击穿（齐纳击穿、雪崩击穿）
金属-半导体结：肖特基势垒的形成过程；加偏压的肖特基势垒的能带图；欧姆接触
半导体异质结构：异质结定义；异质结的特性；量子阱；超晶格；量子阱和超晶格的异同
第二章 光电材料的生长与器件制备
外延生长；分子束外延；MBE系统的主要特点；MBE外延生长机理；MOCVD系统的主要特点；MOCVD生长过程的主要阶段；
第三章 LED
辐射复合与非辐射复合：辐射复合、非辐射复合；间接辐射复合的5种主要形式；等电子陷阱；俄歇复合；
LED的基本原理：LED的发光过程
LED的特性参数：I-V特性；外量子效率，内量子效率；LED设计成在P侧发光较为有利的原因；提高注射效率的途径；
LED的光取出原理及方法：减少材料吸收而产生的损失采取的措施；增加光取出效率的方法（增加内部量子效率、改进内部结构、改变表面结构及外形、基本
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