《超大规模集成电路设计导论》第3章:器件设计技术

集成电路按其制造材料分为两大类:一类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度。目前Si工艺比较成熟。

第三章

器件设计技术

清华大学计算机系 2011-1-19 1

《超大规模集成电路设计导论》第3章:器件设计技术

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