传感器原理及其应用 第8章 光电式传感器2
传感器原理及其应用
第8章光电式传感器当向电极加正偏压时，在电场的作用下，电极下的 P型硅区域里的空穴被赶尽，从而形成一个耗尽区，也就是说，对带负电“”的电子而言是一个势能很低的区域，这部分称为“势阱”。如果此时有光线入射到半导体硅片上，在光子的作用下，半导体硅片上就产生了光生电子和空穴，光生电子就被附近的势阱所吸收(或称为“俘获”),而同时产生的空穴则被电场排斥出耗尽区。此时势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。人们也称这样的一个 MOS光敏元为一个像素，把一个势阱所收集的若干光生电荷称为一个电荷包。通常在半导体硅片上制有几百或几千个相互独立的MOS光敏元，呈线阵或面阵排列。在金属电极上施加一正电压时，在半导体硅片上就形成几百或几千个相互独立的势阱。如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，那么通过这些光敏元就会将其转换成一幅与光照强度相对应的光生电荷图像。 武汉理工大学机电工程学院
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