7 III—V族化合物半导体的能带结构
物理知识
III—V 1.7 III V族化合物半导体的能带结构 III—V族化合物半导体与硅,锗具有同一类型的能带结构. 锑化铟和砷化镓的能带结构作一简要的介绍. III—V族化合物半导体能带结构的一些共同持征.因为闪锌 矿型结构和金刚石型结构类似,所以第一布里渊区也是截角八面 体的形式,14面体.
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