2.3.2 单晶生长(2)质量控制
材料加工原理,习题,答案,试题,材料科学
区熔法 ① 水平区熔法 主要用于材料的物理提纯 也用来生长单晶体 物理提纯， 单晶体。 主要用于材料的物理提纯，也用来生长单晶体。 与正常凝固法相比，其优点是减小了坩埚对熔体的污染，降低了加热功率， 与正常凝固法相比，其优点是减小了坩埚对熔体的污染，降低了加热功率， 另外区熔过程可以反复进行，从而提高了晶体的纯度或使掺杂均匀化。 另外区熔过程可以反复进行，从而提高了晶体的纯度或使掺杂均匀化。 加 热 器
熔
区
晶
体
多
晶
炉
管
坩
埚
水平区熔制备单晶是将材料置于水平舟内，通过加热器加热， 水平区熔制备单晶是将材料置于水平舟内，通过加热器加热，首先在舟 端放置的籽晶和多晶材料间产生熔区，然后以一定的速度移动熔区， 端放置的籽晶和多晶材料间产生熔区，然后以一定的速度移动熔区， 使熔区从一端移至另一端，使多晶材料变为单晶体。 使熔区从一端移至另一端，使多晶材料变为单晶体。这种方法多用 于制备锗单晶。 于制备锗单晶。
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