LED的生产工艺流程及设备

　　　　本文由ｊｉａｂｕｄａ贡献

　　　　ｐｐｔ文档可能在ＷＡＰ端浏览体验不佳。建议您优先选择ＴＸＴ，或下载源文件到本机查看。

　　　　ＬＥＤ的生产工艺流程及设备　的生产工艺流程及设备

　　　　黄健全

　　　　２００７．３

　　　　主要内容

　　　　ＬＥＤ生产工艺流程；　ＬＥＤ衬底材料制作；　ＬＥＤ外延制作；

　　　　Ｌｅｄ生产工艺流程

　　　　１、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用Ｈ２ＳＯ４∶Ｈ２Ｏ２　（３∶１）　溶液煮１０ｍｉｎ　左右，再用２％ＨＦ溶液腐蚀５ｍｉｎ　左右，　接着用去离子水清洗，然后用Ｎ２吹干。　２、衬底进入反应室后在Ｈ２气氛中于高温进行处理，以去除硅　衬底表面氧化物。　３、然后温度降至８００℃左右，生长厚约１００埃的ＡｌＮ缓冲层。　４、接着把温度升至１０５０℃生长２００ｎｍ　偏离化学计量比（富镓　生长条件）的ＧａＮ高温缓冲层。　５、再生长０．４μｍ厚未掺杂的ＧａＮ。　６、接着生长２μｍ厚掺Ｓｉ的ｎ型ＧａＮ，接下来在７４０℃生长５个周　期的ＩｎＧａＮ多量子阱有源层。　７、以及在９９０　℃生长２００ｎｍ　的ｐ　型ＧａＮ。

　　　　Ｌｅｄ生产工艺流程

　　　　８、生长结束后，　样　品置于Ｎ２中于　７６０℃进行退火，　９、然后再对样品进　行光刻和ＩＣＰ刻蚀。　Ｎｉ／Ａｕ和Ｔｉ／Ａｌ／　Ｎｉ／　Ａｕ分别用作ｐ型　ＧａＮ和ｎ型ＧａＮ　的　欧姆接触电极。　　　　ＬＥＤ生产工艺流程

　　　　ＬＥＤ透明电极

　　　　ＬＥＤ生产工艺流程

　　　　蓝宝石衬底ＬＥＤ（正装、倒装）

　　　　ＬＥＤ生产工艺流程

　　　　蓝宝石衬底紫外ＬＥＤ

　　　　ＬＥＤ生产工艺流程

　　　　蓝宝石衬底白光ＬＥＤ

　　　　ＬＥＤ生产工艺流程

　　　　多晶硅

　　　　衬底制作

　　　　外延生长

　　　　芯片制作

　　　　ＬＥＤ

　　　　所举例子只是一种ＬＥＤ制作工艺，　不同的厂家都有自己独到的一套制作工　艺，各厂家所使用的设备都可能不一样，　各道工序的作业方式、化学配方等也不　一样，甚至不同的厂家其各道制作工序　都有可能是互相颠倒的。　但是万变不离其宗，其主要的思想　都是一样的：外延片的生长（ＰＮ结的　形成）电极的制作（有金电极，铝电　极，并形成欧姆接触）封装。

　　　　ＬＥＤ衬底材料制作

　　　　硅的纯化　长晶　切片　晶边磨圆　晶面研磨　晶片蚀刻　退火　晶片抛光　晶片清洗　检验／包装

　　　　ＬＥＤ衬底材料制作－－硅的纯化

　　　　硅石（Ｓｉｌｉｃａ）焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸　的加热还原炉中，并用１５００－２０００℃的高温加热，将氧　化硅还原成硅，此时硅的纯度约为９８％左右，在纯度　上达不到芯片制作的要求，要进一步纯化：　１）盐酸化：将冶金级的多晶硅置于沸腾的反应器中，通　往盐酸气以形成三氯化硅；　２）蒸馏：将上一步的低沸点产物（ＴＣＳ）置于蒸馏塔中，　将其他不纯物用部分蒸馏去除。　３）分解：将已蒸馏纯化的ＴＣＳ置于化学气相沉淀（ＣＶＤ）　反应炉中，与氢气还原反应而析出于炉中电极上，再　将析出的固态硅击碎成块状多晶硅。

　　　　ＬＥＤ衬底材料制作

　　　　西门　子式　工艺　多晶　硅