半导体集成芯片制作工艺流程

N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb
　　P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B
　　PN结：
　　半导体元件制造过程可分为
　　前段（FrontEnd）制程
　　晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、
　　晶圆针测制程（WaferProbe）；
　　後段（BackEnd）
　　构装（Packaging）、
　　测试制程（InitialTestandFinalTest）
　　一、晶圆处理制程
　　晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
　　二、晶圆针测制程
　　经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒
　　三、IC构装制程
　　IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路
　　目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。
　　半导体制造工艺分类
　　半导体制造工艺分类
　　一双极型IC的基本制造工艺：
　　A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）
　　ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离
　　I2L（饱和型）
　　半导体制造工艺分类
　　二MOSIC的基本制造工艺：
　　根据栅工艺分类
　　A铝栅工艺
　　B硅栅工艺
　　其他分类
　　1、（根据沟道）PMOS、NMOS、CMOS
　　2、（根据负载元件）E/R、E/E、E/D
　　半导体制造工艺分类
　　三Bi-CMOS工艺：
　　A以CMOS工艺为基础
　　P阱N阱
　　B以双极型工艺为基础
　　双极型集成电路和MOS集成电路优缺点
　　半导体制造环境要求
　　主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有