LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

2011-2015年中国LED外延片及芯片市场分析投资趋势研究报告

正文目录

第一章 LED外延片及芯片概述 (13)

第一节简介 (13)

一、定义 (13)

二、工艺流程 (13)

第二节发展历史 (16)

第二章 2010年世界LED外延片及芯片行业发展现状分析 (18)

第一节 2010年世界LED外延片及芯片发展概况 (18)

一、世界LED外延片及芯片市场供需分析 (18)

二、世界LED外延片及芯片主要产品价格走势分析 (21)

第二节 2010年世界主要国家LED外延片及芯片行业发展情况分析 (21)

一、美国 (21)

二、日本 (22)

第三节 2010年世界LED外延片及芯片行业发展趋势分析 (24)

第三章 2010年中国LED外延片及芯片行业发展环境分析 (24)

第一节 2010年中国经济环境分析 (24)

一、宏观经济 (24)

二、工业形势 (25)

三、固定资产投资 (27)

第二节 2010年中国LED外延片及芯片行业发展政策环境分析 (28)

一、行业政策影响分析 (28)

二、相关行业标准分析 (31)