3 《材料科学基础》第三章 晶体结构缺陷(下)
四、位错的来源和增殖 1、位错的密度 位错密度是单位体积晶体中所含的位错线的总长度： ρ= L/V(cm-2)
一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目
2、位错的生成：晶体在凝固及生长过程中的位相差、饱和空位 的聚集、局部应力集中产生滑移等
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