福利贴啊

第三章答案 3-2 略。 3-2 试述位错的基本类型及其特点。 解：位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。刃型位错特点：滑移方向与位错线垂直，符 号⊥，有多余半片原子面。螺型位错特点：滑移方向与位错线平行，与位错线垂直的面不是 平面，呈螺施状，称螺型位错。 3-3 非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是 n 型或 p 型半导体材料？ 解： 非化学计量化合物的特点： 非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、 压力有关； 可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体； 缺陷浓度与温度有关， 这点可以从平衡常数 看出； 非化学计量化合物都是半导体。 由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金 属离子过剩（n 型）半导体，正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩（p 型） 半导体。 3-4 影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些？ 解：影响形成置换型固溶体影响因素： （1）离子尺寸：15%规律：1.（R1-R2）/R1>15% 不连续。2.<15%连续。3.>40%不能形成固熔体。 （2）离子价：电价相同，形成连续固熔体。 （ 3）晶体结构因素：基质，杂质结构相同，形成连续固熔体。 （4）场强因素。 （5）电负性： 差值小，形成固熔体。差值大形成化合物。 影响形成间隙型固溶体影响因素： （1） 杂质质点大小： 即添加的原子愈小， 易形成固溶体， 反之亦然。 （2）晶体（基质）结构：离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的，在一定程度 上来说，结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大，结构愈疏松，易形成 固溶体。 （3）电价因素：外来杂质原子进人间隙时，必然引起晶体结构中电价的不平衡，这 时可以通过生成空位，产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 3-5 试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。 解：影响有： （1）稳定晶格，阻止某些晶型转变的发生； （2）活化晶格，形成固溶体后， 晶格结构有一定畸变，处于高能量的活化状态，有利于进行化学反应； （3）固溶强化，溶质 原子的溶入，使固溶体的强度、 硬度升高； （4）形成固溶体后对材料物理性质的影响：固 溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化，但一般都不是线性关系。固溶体 的强度与硬度往往高于各组元，而塑性则较低， 3-6 说明下列符号的含义：VNa，VNa'，VCl˙， Na'VCl˙） （V ，CaK˙，CaCa，Ca i˙˙ 解：钠原子空位；钠离子空位，带一个单位负电荷；氯离子空位，带一个单位正电荷；最 邻近的 Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心；Ca2+占据 K.位置，带一个单位正电荷；Ca 原子位 于 Ca 原子位置上；Ca2+处于晶格间隙位置。 3-7 写出下列缺陷反应式： （l）NaCl 溶入 CaCl2 中形成空位型固溶体； （2）CaCl2 溶入 NaCl 中形成空位型固溶体； （3）NaCl 形成肖特基缺陷； （4）Agl 形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间 隙） 。 解： （1）NaCl （2）CaCl2 CaNa · · NaCa’+ ClCl + VCl + 2ClCl + VNa’ · （3）O VNa’ + VCl · （4）AgAg VAg’ + Agi 3-8 MgO 的密度是 3.58g/cm3， 其晶格参数是 0.42nm， 计算单位晶胞 MgO 的肖特基缺陷数。 解：设有缺陷的 MgO 晶胞的晶胞分子数为 x，晶胞体积 V=（4.20）3，x=ρ VN0/M=3.96,