您的位置： 文档网所有分类高等教育理学 晶体缺陷

晶体缺陷

晶体缺陷

散系数、内耗、介电常数等。

2..线缺陷（一维缺陷）：晶体内沿某一条线上附近的原子的排列与完整晶格不相同产生的缺陷。沿一平面，晶体的一部分相对于另一部分发生滑动，在滑移部分与未滑移部分的交界处，晶格容易发生错位，这种线缺陷成为位错。

典型的位错有两种：

（1）刃位错位 将晶体的上半部分向左平移一个原子间距，使晶体内有一个原

子平面在晶体内部中断，其中断处的边沿即刃型位错。

（2）螺位错。将晶体的右半部分向下移动一个原子间距，而在分界线的区域形成一螺旋面，分界线即螺型位错

（3）位错的特征：离位错线较远处，原子排列接近于完整晶体；离位错线较近处，原子排列有较大错乱；线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。

3.面缺陷：面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、相界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。[2]

4.体缺陷

也称为三维缺陷，指晶体中在三维方向上相对尺度比较大的缺陷，和基质晶体 已经不属于同一物相，是异相缺陷。

固体材料中最基本和最重要的晶体缺陷是点缺陷，包括本征缺陷和杂质缺陷等

1.2.2、位错缺陷的性质

晶体缺陷

晶体缺陷

上一页第2页

你可能喜欢

  • 晶体材料
  • 材料科学基础晶体缺陷
  • 固体物理论文
  • 晶格振动
  • 材料科学基础考研试题
  • 材料化学

晶体缺陷的相关文档搜索

晶体缺陷相关文档

最新文档

返回顶部