电子封装陶瓷基片材料研究现状
24
陶瓷
2007.No.5
电子封装陶瓷基毙材料研夯坝状
郝洪顺1
(1山东理工大学材料学院
付
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山东聊城252059)
山东淄博255049)(2聊城大学材料学院
摘要阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了几种常用的陶瓷基片材料的性能特点,论述了电子封装陶瓷基片材料的研究现状,并指出了发展方向。关键词
Recent
电子封装陶瓷基片性能研究现状
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速传输速度器件的要求,要求封装基片材料介电常数
前言
现代科学技术的发展对材料的要求日益提高,在
电子封装领域,随着电子器件和电子装置中元器件的复杂性和密集性日益提高,开发性能优异,可满足各种要求的电子元器件封装基片已成为当务之急。
电子封装基片材料是一种底座电子元件,用于承载电子元器件及其相互联线,并具有良好电绝缘性的基体。因此封装基片必须和置于其上的元器件在电学性质、物理性质、化学性质方面保持良好的匹配。通常,封装基片应具备如下性质…。
1)导热性能良好。导热性是电子封装基片材料的主要性能指标之一,如果封装基片不能及时散热将影
低。另外,电子封装基片还应具有机械性能高、电绝缘
性能好、化学性质稳定(对电镀处理液、布线用金属材料的腐蚀而言)、易于加工、易形成回路(表面平滑度
好)等特点。当然,在实际应用和大规模工业生产中,
价格因素也是不可忽视的一个方面。
1
常用陶瓷基片材料的性能特点及研究现状
电子封装基片材料的种类很多,常用基片主要分
为树脂基片、金属基片和陶瓷基片三大类。
陶瓷基片是电子封装中常用的一种基片材料,与
响电子设备的寿命和运行状况。另外,温度分布不均
匀也会导致电子器件噪声大大增加。
2)线膨胀系数匹配(主要与Si和GaAs)。若二者热膨胀系数相差较大,电子器件工作时的快速热循环易引人热应力而导致失效。
3)高频特性良好(即低的介电常数和低的介质损
金属基片和树脂基片相比,其主要优点在于:高的电绝缘性能和优异的高频特性,具有和元器件相近的线膨胀率,很高的化学稳定性和较好的热导率(入),此外,陶
瓷材料还具有良好的综合性能,广泛用于混合集成电路(HIC)和多芯片模件(MCM)心J。
陶瓷封装常为多层陶瓷基片(MLC)。这种技术开始于1961年J
L
耗)。因为在高速传输信号的布线电路上,信号延迟时间与基片材料介电常数平方根成正比。为满足用作高
Park发明的流延工艺专利。而陶瓷封
装的创始人被认为是BemardSchwartz,因他领导的研
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