自测题一

一、判断题

1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）

2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ T ）

3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）

二、单选题

1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。

A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发

2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。

A．正、反向电阻相等 B．正向电阻大，反向电阻小

C．反向电阻比正向电阻大很多倍 D．正、反向电阻都等于无穷大

3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压)

A．右移 B．左移 C．上移 D．下移

4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。

A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定

5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源）

A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压

6．温度升高时，三极管的 值将（ A ）。

A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定

7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。

A．电流放大系数 B．最大整流电流

C．集电极最大允许电流 D．集电极最大允许耗散功率

8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为U1

9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。

A．多数载流子 B．少数载流子

C．扩散 D．少数载流子和多数载流子共同

10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏）

A．PNP型硅管 B．PNP型锗管 C．NPN型锗管 D．NPN型硅管

11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区

12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（ B ）。

A．能够形成导电沟道 B．不能形成导电沟道

C．漏极电流不为零 D．漏极电压为零

三、填空题

1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。

2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。

3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的 单向导电性 性能。

4．PN结加正向电压时，空间电荷区将。

5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被 削弱 。

6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。

7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。

8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。

10．GS 6V，U2 5.4V，U3 12V，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS管 。

0的是 N沟道增强型 场效应管。

0的是 P沟道增强型 场效应管。4 11．开启电压UGS(th)12．开启电压UGS(th)