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微电子工艺考试(开卷)试题及答案

微电子工艺考试试题及答案

《微电子工艺》考试（开卷）

1、 简述三维集成技术的优、缺点，及其应用领域？(15’)

1) 优：互联线更短、低功耗、速度高、所占平面面积小、引脚少

2) 缺：制造工艺复杂、成本高、不易散热

3) 应用：成像传感器、存储器、处理器

2、 简述BOSCH刻蚀工艺原理？(15’)

BOSCH刻蚀为时分复用刻蚀。

1) 各自同性刻蚀，SF6等离子体现各项同性刻蚀，刻蚀循环7-16s；

2) 保护：C4F8生成类似Teflen的氟碳化合物高分子膜（-CF2-）n保护循环5-15s；

3) 刻蚀温度：液氮冷却40℃；

4) 电感耦合等离子：ICP产生等离子体，平板电极加速离子；

5) 气体切换系统；

6) 刻蚀掩膜；

7) 侧壁；

8) 刻蚀速率。

3、

1)

2)

3)

4)

5) 简述光刻的主要工艺步骤，并配图说明？(15’) 涂光刻胶 对准与曝光 显影 刻蚀 去除光刻胶

4、 简述常压CVD工艺在Si表面淀积SiO2膜时，与热氧化工艺的不同之处是？(15’)

1) CVD法SiO2膜中的硅来自外加的反应气体，而热氧化法SiO2膜中的硅来自硅衬底

本身，氧化过程中需消耗掉一部分衬底中的硅；

2) CVD法德反应发生在SiO2膜表面，膜厚与时间始终成线性关系。而在热氧化法中，

一旦SiO2膜形成后，反应剂必须穿过SiO2膜，反应发生在SiO2/Si界面上；

3) CVD法温度较低，但膜质量较差，通常需经增密处理，而热氧化法湿度高，SiO结

构致密，掩膜性能良好。

5、 参考PMOS晶体管的制造工艺流程，绘制NMOS晶体管的制造工艺流程，并给予简要说明。(30’)

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